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488.【台股美股提款機】DRAM 產業追蹤:2026 年非 HBM DRAM 成長或將更勝 HBM

雲端巨頭資本支出持續上調推動記憶體需求爆發,DRAM 三大原廠 2025 年 Q3 業績全面超預期;2026 年先進製程 DRAM 供不應求格局延續,HBM 成長趨緩,成熟製程上半年仍強,下半年需警惕長鑫存儲量產及高價抑需風險。

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重點摘要

  • DRAM 三大原廠(SK 海力士、三星、美光)2025 年 Q3 業績全面超預期,主因亞馬遜、微軟、Google、Meta 等雲端巨頭在 Q3 爆量下單採購
  • 雲端業者對 2026 年(明年)資本支出預測不斷上修,從年初預估成長 15% 升至目前部分機構預測的 40%,且已出現前所未見的多年期長約
  • 2026 年(明年)先進製程 DRAM(HBM + Server DDR5/GDDR7)持續供不應求,新廠房要到 2027 年才能貢獻產能,HBM 生產效率低落進一步限制有效產出
  • HBM 成長動能從 2025 年(今年)三位數放緩至 2026 年的 40–50%,主因三星殺價 HBM3E、雲端自研 ASIC 晶片(Google TPU、Amazon Trainium)以 HBM3E 為主流
  • 成熟製程 DRAM(DDR3/DDR4)2026 年上半年漲幅可能強於預期,但下半年面臨高價壓抑下游需求及長鑫存儲(CXMT)LPDDR5 量產的雙重衝擊

詳細內容

Q3 2025 三大原廠業績回顧

三大 DRAM 原廠 2025 年第三季業績全面超越市場預期:

  • SK 海力士:DRAM 營收 19.1 兆韓元,季成長 11.4%
  • 三星:DRAM 營收估 18–19 兆韓元,季成長約 30%
  • 美光:DRAM 季成長 27%

雲端巨頭拉貨的規模與背景

主要驅動力是 Amazon、微軟、Google、Meta 等超大型雲端業者(Hyperscalers)在 Q3 突然大幅轉變採購態度。微軟執行長坦承 2025 年上半年對 AI 基礎建設策略過於保守,微軟已全面調整策略,重新積極投入。

雲端業者對 2026 年(明年)資本支出成長的市場預測持續上修:

  • 2025 年初預估:約 15% 成長
  • 2025 年 Q3 中:上調至 24%
  • 2025 年底:部分機構(如摩根士丹利等)已上調至 40%

Meta 2025 年資本支出預估成長 90%,且預告 2026 年成長幅度還將更高。這些業者甚至已開始洽談涵蓋 2027 年的多年期 DRAM 採購長約,這在記憶體產業史上前所未見。

先進製程 DRAM 2026 年展望:供給跟不上需求

供給端瓶頸

  • 三大廠既有廠房空間已趨近飽和,新廠建設至少需兩到三年,最快要到 2027 年後才能貢獻產能
  • HBM 生產效率低落:同一片晶圓生產 HBM 的記憶體位元產出約為 DDR5 的三分之一,嚴重拖累有效產能成長
  • HBM4 技術難度比 HBM3 再提升約 25%,良率更難拉升
  • 估算 2026 年三大廠 DRAM 位元供給成長約 15–20%,但需求成長可能超過 20%,供不應求格局延續

HBM:成長趨緩但仍在 40–50%

2025 年(今年)HBM 產值成長超過一倍,但 2026 年預計放緩至 40–50%,主因:

  1. 三星殺價 HBM3/HBM3E:三星因 NVIDIA 認證未過而打不進 HBM4 供應鏈,轉攻 Google TPU、Amazon Trainium 等採用 HBM3E 的雲端自研 ASIC 市場,以降價鞏固市占率
  2. 雲端業者自研 ASIC 放量:Google TPU、Amazon Trainium 等 2026 年將明顯放量,而這些晶片主要採用 HBM3E 而非 HBM4,使 HBM4 占整體 AI 晶片用量僅約 30–40%
  3. 技術快速迭代:HBM3E 良率剛改善就要轉 HBM4、HBM5,良率持續承壓

相對地,非 HBM 先進製程 DRAM(Server DDR5、GDDR7、高階手機 DDR5)受惠 Hyperscalers 全面掃貨,估計 2026 年成長可達 50% 以上,表現可能超越 HBM,是主持人認為 2026 年最佳子類別。

成熟製程 DRAM(DDR3/DDR4):上半年強、下半年存風險

2026 年上半年:由於雲端業者搶奪 Server DRAM 產能,導致成熟製程供應更加吃緊,DDR4 漲幅可能達 20–30%,強於原先預期。

2026 年下半年風險

  1. 高價反噬需求:中芯國際(SMIC)反映,其客戶因記憶體價格過高甚至買不到貨,致使 2026 年上半年的晶圓代工訂單能見度明顯偏低,手機、PC、消費電子廠商等紛紛縮手
  2. 長鑫存儲(CXMT)量產 LPDDR5:長鑫存儲宣布中階 LPDDR5 已開始量產,更高階型號正在進行客戶認證;在中國國產替代政策支持下,可能快速滲透中國手機、PC 市場
  3. DDR4 轉 DDR5 加速:隨時間推移,業者換用 DDR5 比例持續提升,DDR4 需求長期承壓

台灣供應鏈廠商影響概述

報告中提及的相關台股廠商包括:南亞科、華邦電等成熟製程 DRAM 廠商、記憶體用 BT 載板廠商,以及記憶體測試封裝廠商。由於 2025 年(今年)以 HBM 表現最佳,2026 年(明年)轉為先進製程非 HBM DRAM 最佳,各廠商受惠程度將有所不同,詳細數字分析可參考財報狗產業報告。

精選語錄

這些巨型的雲端業者,他們甚至已經開始說,他們需要能夠確保可能不只是明年,連後年(2027 年)的 DRAM 的量,他們也希望能夠把它包下來——這是過去很少見的事情。

同樣生產一塊晶圓,如果是 DDR5 也許可以產出 50TB,但是 HBM 就只能生產三分之一,可能就只有 16TB。所以明明晶圓產能擴了 10%,因為很大部分用在 HBM,最後實質產出可能只剩三分之一。

目前市場看到的是供給快速在減少,可是現在已經價格漲到連帶已經開始傷害需求,連需求也開始在減少。那這樣可能就會導致就是價格的漲勢和動能,有可能在下半年開始負面影響擴大。

時間軸

逐字稿無明確時間戳,以下為各主題段落的結構順序:

  • 開頭 — 廣告:野村愛爾蘭多元債(債券基金)
  • 廣告段 — NordVPN 贊助,主持人分享 VPN 用於串流平台訂閱省價與精品跨境購物的實際案例
  • 節目開場 — 主持人 Meta 帳號被封事件引入,談及 AI 算法誤判與社群平台問題
  • 主題段一 — Q3 2025 三大 DRAM 原廠業績數據回顧
  • 主題段二 — 雲端巨頭資本支出上調的原因、規模與多年期長約現象
  • 主題段三 — 先進製程 DRAM 整體供需分析(廠房產能限制、HBM 效率問題)
  • 主題段四 — HBM vs 非 HBM 詳細比較(三星殺價策略、ASIC 晶片崛起)
  • 主題段五 — 成熟製程 DRAM(DDR3/DDR4)上半年展望
  • 主題段六 — 下半年風險:中芯國際訂單能見度、長鑫存儲 LPDDR5 量產警訊
  • 結尾 — 台灣供應鏈廠商概述,完整分析見財報狗產業報告

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