523.【台股美股提款機】DRAM 產業：先進製程 DRAM 供不應求加劇，2026 下半年報價漲幅欲小不易

重點摘要

• 三大 DRAM 廠 2026 年第一季報價創罕見漲幅：三星單季漲 91-93%、美光漲 64-67%，三星因 HBM 市佔較低、非 HBM 產能可快速反映現貨供需而表現最強
• 代理士 AI 興起使任務調度、RAG 查詢等工作大量倚賴通用 CPU 伺服器，帶動非 HBM 的一般 DDR5 DRAM 需求爆發，成為 2026 年上半年新的成長主軸
• 三星半導體部門約 5 萬名員工（佔 7 萬人中近七成）宣告於 5 月 21 日起連續罷工 18 天；若此罷工成真，加上復工調試期，實際產量損失恐超過一個月
• 先進製程 DRAM 2026 年下半年供需缺口仍難收窄，報價漲幅預期持續強勁；成熟製程 DRAM 則因消費性電子中低階需求衰退及長鑫存儲（CXMT）量產放量，報價漲幅明顯弱於先進製程
• SK 海力士員工平均獎金大幅領先三星，韓國婚友社最搶手職業已從三星換成 SK 海力士，此薪酬差距正是三星工會發動罷工的導火線

詳細內容

NAND Flash vs DRAM：市場為何更興奮 NAND Flash

目前市場對 NAND Flash 的期待略高於 DRAM，核心原因在於「預期差」——DRAM 廠商更早受惠 AI 熱潮，已較早進入擴產，市場已充分定價；而 NAND Flash 廠商直到推理 AI（Inference AI）與代理士 AI 需求爆發後才開始激進擴產，這一輪的預期上調空間更大。

NAND Flash 市場有五大玩家（三星、SK 海力士、美光、鎧俠、SanDisk），其中 SanDisk 與鎧俠為合資關係——建廠主導權在鎧俠，SanDisk 若要獨立擴產仍須與鎧俠協商。實質上 NAND Flash 可視為四大廠競爭，DRAM 三大廠格局更穩固。中國廠商（長鑫存儲、長江存儲）因美國技術管制卡住設備供應，主要只能服務中國本土市場，對 AI 支出最積極的美國市場影響有限。

2026 年第一季三大廠財報：報價創罕見單季漲幅

2026 年第一季，三星、SK 海力士、美光三家業者均反映極端供不應求的狀態，法說會中出現「有史以來最緊缺」、「需求永遠超預期」等措辭。三大廠產量因設備機台不足而難以顯著提升，只能靠報價上漲推動營收成長：美光 DRAM 平均報價單季漲 64-67%，三星高達 91-93%。

三星本季漲幅超越另外兩家的關鍵在於 HBM 市佔率落後（三星在 NVIDIA Blackwell 系列 HBM3E 供貨中被排擠，SK 海力士為主要供應商），反而使三星有更多產能配置在非 HBM 的一般 DRAM；非 HBM DRAM 無長約綁定，可快速反映現貨市場供需，短期報價彈性更高。

HBM vs 非 HBM 的分化：「自由生」與「後段班」的進步幅度

以學生成績比喻：HBM 如同從 90 分進步到 100 分的資優生，非 HBM 則是從 10 分暴漲到 70 分的後段班——後者絕對分數仍低，但進步幅度遠超前者。HBM 價格受長期合約制約，談判對象為 NVIDIA 等強勢大客戶，漲幅受限；非 HBM 現貨交易靈活，一週內報價可上漲兩至三成。

SK 海力士憑藉 HBM 龍頭地位在過去兩年估值大幅領先，但 2026 年第一季三星非 HBM 漲勢更猛，顯示供需輪動已開始，非 HBM DRAM 正補上被市場忽略的那段成長。

代理士 AI 帶動通用伺服器 DRAM 需求爆發

代理士 AI（Agentic AI）任務導向的特性，需要大量「教練型」角色——負責任務排程、工具呼叫、RAG 資料庫查詢、外部搜尋等工作的通用 CPU 伺服器。這類伺服器搭載的是一般 DDR5 DRAM，而非 GPU 伺服器使用的 HBM。

過去 AI 投資主要聚焦 GPU＋HBM，忽略了通用伺服器的配置需求；隨著代理士 AI 多工調度需求爆發，業界才意識到 GPU 伺服器若缺乏通用伺服器協同，如同有球員卻無教練，整體效率打折。這一需求的發現帶動非 HBM DRAM 進入新一輪成長週期，也是 AI 受惠鏈持續向外擴散的體現。

三星員工罷工威脅：7 成員工醞釀 18 天連續罷工

三星半導體部門約 7 萬名員工中，約 5 萬人（近七成）宣告將於 2026 年 5 月 21 日起連續罷工 18 天。起因是員工要求仿效 SK 海力士調整獎金制度：三星現行制度設有上限（最高約本薪 50%），員工認為遠落後於 SK 海力士（無獎金上限、提撥 10% 營業利益分紅，人均獎金據報達約 1,300 萬台幣）。工會要求三星提高提撥比例至 15% 並取消上限。

4 月試行罷工半天已驗證衝擊規模：當日三星代工產量損失超過 50%，記憶體產量損失近兩成。若 18 天全面罷工加上復工調試期（通常需額外兩至三週讓設備重新調教），三星的實際產量損失恐超過一個月。三星在 DRAM 市佔約 35-40%、NAND Flash 市佔約 30%，若產能大幅折損，對全球記憶體供給衝擊巨大。

此次罷工背後也有 SK 海力士員工薪酬飛漲的社會對比效應——韓國婚友社最受歡迎的職業背景已悄悄從三星換成 SK 海力士，三星人才持續外流。

2026 年下半年先進製程 DRAM：供需缺口仍難收窄

先進製程 DRAM（主要業者：三星、SK 海力士、美光）現有產能已滿載，擴產受制於設備商本身產能不足（需排隊等候），短期無法快速放量。AI 伺服器需求持續成長，且需求性質已從固定成本轉向可變成本——用戶用量越多，硬體需求同比增加，使需求成長幅度難以被效率提升完全抵消。

消費性電子方面，高階手機因搭載 AI 功能反而持續提升每台記憶體用量，對先進製程的衝擊相對可控。整體而言，先進製程 DRAM 2026 年下半年供需缺口預期持續，報價漲幅仍將顯著。

2026 年下半年成熟製程 DRAM：漲勢趨緩的雙重壓力

成熟製程 DRAM（台灣主要業者：南亞科技、華邦電子、晶豪科技）面臨兩大對沖因素：

需求端正面因素：AI 帶動企業級 SSD 搭載的成熟製程 DRAM 需求大幅成長。企業級 SSD 內建的 DRAM（主要為成熟製程）預估 2026 年成長 75% 以上。雖然目前佔整體 DRAM 出貨量僅約 1%（成熟製程在整體 DRAM 中佔比約 10%），但此高成長率對成熟製程的需求貢獻可達數個百分點。

供需端壓力：（一）消費性電子中低階裝置首當其衝被品牌廠刪單，成熟製程 DRAM 中消費性電子佔比達四至五成，衰退幅度可能抵銷 AI 帶來的成長；（二）中國長鑫存儲（CXMT）成熟製程 DDR5 產能預計隨中國品牌機型（小米、OPPO、華為等）於 2026 年下半年完成認證後正式放量，主要影響中國市場但仍會增加區域供給壓力。

綜合評估：成熟製程 DRAM 2026 年下半年仍偏供不應求，報價仍有上漲空間，但報價漲幅顯著弱於先進製程，難以重現 2026 年上半年的強勁漲勢。

精選語錄

「我從來沒看過這麼緊缺的一個狀態，我有史以來第一次。」——業者在法說會的表態，主持人彙整 2026 年第一季市場情緒

「AI 已經什麼都是 AI 了，現在已經各行各業都是 AI 了，現在已經不是說什麼 AI 是生產性、消費性。」

「硬體的成本突然從偏固定成本，轉向可變動成本，就是用量增加，成本跟著增加。」

時間軸

• 節目開頭 — NAND Flash vs DRAM 市場氛圍對比，NAND Flash 預期差更大的原因，市場五大玩家結構分析
• 中段前期 — 2026 年第一季三大廠財報彙整，報價單季漲幅 64-93%，三星因禍得福詳解
• 中段 — HBM vs 非 HBM 分化邏輯，SK 海力士 HBM 龍頭地位，長約對報價彈性的影響
• 中段後期 — 代理士 AI 帶動通用伺服器 DRAM 需求爆發，「教練與球員」比喻
• 後段前期 — 三星員工罷工威脅始末，SK 海力士員工獎金對比，韓國股市 YTD 漲幅討論
• 後段 — 先進 vs 成熟製程 2026 年下半年展望，長鑫存儲放量影響評估，台灣成熟製程業者現況
• 節目結尾 — 記憶體模組族群、封裝業者後續展望預告